碳化硅制造原理
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链 在超过 2000 ℃高温下， 碳化硅原料分解成升华的硅原子、SiC2分子以及 Si2C 分子等气相物质， 气象物质在温度梯度的驱动下向低温区输送， 在碳化硅(SiC)籽晶的 C 面上形核成 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。碳化硅_百度百科
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 - 百家号
2020年6月10日 1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木 浙江大学--先进半导体研究院--宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性 先进半导体研究院----碳化硅芯片怎么制造？（科普 ...其原理是在超过2000℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为Si原子、Si2C分子和SiC2分子等气相物质，在温度梯度的驱动下，这些气相物质将被输运到温度较低的碳化硅籽晶上形 半导体届“小红人”——碳化硅 - 知乎
